我們的核心技術團隊

英諾賽科的核心技術團隊由半導體和（電力）電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領先公司，在硅基氮化鎵技術的開發(fā)和大規(guī)模量產方面擁有豐富的經(jīng)驗。

此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術領域擁有的潛力，并更加順利地推廣產品，英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領域的專家，用于進行面向特殊應用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。

我們的歷史

英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產業(yè)鏈模式，集設計、研發(fā)、生產和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產基地。

公司成立之初，英諾賽科的創(chuàng)始人就深知，如果想實現(xiàn)氮化鎵技術在市場上的廣泛應用，產品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產能力，以應對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔心因氮化鎵器件供應戰(zhàn)略的變化而導致停產。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產能并擁有自主可控的生產線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規(guī)模推廣的三個痛點（價格、數(shù)量和供應安全）。

從一開始，英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產領域積累的經(jīng)驗和優(yōu)化措施應用在氮化鎵晶圓的生產工藝中。

今天，英諾賽科已實現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，采用最先進的8英寸生產工藝，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。

目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能達到每月10000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。

我們能取得這些成就，離不開招銀國際、SK、ARM和CATL等世界級投資方的支持。

我們研發(fā)量產高性能、高可靠性的氮化鎵器件

我們設計、開發(fā)和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件、面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵器件。

我們擁有先進的光刻技術，能生產線寬較小的器件，從而顯著提升器件的性能。我們?yōu)榭蛻籼峁┮徽臼椒?，能滿足客戶對高壓、低壓的各種需求。我們的大規(guī)模量產能力及8英寸先進生產工藝，能確保器件的穩(wěn)定供應及合理價格。這些都是保障氮化鎵能夠大規(guī)模商業(yè)化應用的必要條件。

同時，我們持續(xù)創(chuàng)新與提升技術，保證英諾賽科始終走在氮化鎵領域的前沿。我們已經(jīng)擁有完整的技術路線圖，能滿足客戶不同應用方向的不同需求，同時也能針對客戶的特殊需求定制解決方案。

我們確保質量和可靠性

英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，采用先進的生產工藝及來的最先進的8英寸硅基氮化鎵生產設備。擁有來自國際一流半導體企業(yè)的技術專家和資深人士，保障了產品的質量與產能。

此外，英諾賽科通過國際標準（如ISO9001和IATF16949）的認證，采用先進的質量管理系統(tǒng)（QMS），持續(xù)改進生產質量工藝。

在可靠性方面，英諾賽科具備擁有出眾的晶圓級、封裝級以及系統(tǒng)級的測試能力，對系列產品及產品迭代開展常規(guī)的檢測，以滿足JEDEC標準。同時，我們還可根據(jù)客戶特殊的需求定制檢測方案。

迄今為止，英諾賽科器件出貨已超百萬顆，因器件性能或可靠性問題的返廠率為0%。這再一次證明英諾賽科器件的卓越性能。

精誠合作，全力支持

英諾賽科全球最大的8英寸硅基氮化鎵器件制造商。我們將針對您的需求，為您定制開發(fā)解決方案，給您提供樣品及開發(fā)器件，同時也與您一共開發(fā)基于英諾賽科器件的解決方案。

我們的系統(tǒng)工程師團隊全力為客戶提供支持，根據(jù)您的應用需求，共同開發(fā)DEMO板。建立個性化的解決方案。

綜上所述，合作共贏，是英諾賽科始終的信念，我們相信氮化鎵能夠獲得成功，贏得市場。您的成功，就是我們的成功。